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概要
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獎項
活動
New functional AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure-emitter and heterostructure-base transistor (HEHBT)
Wen Chau Liu
, Jung Hui Tsai
, Lih Wen Laih
, H. R. Chen
, Shiou Ying Cheng
, Wei Chou Wang
, Po Hung Lin
, Jing Yuh Chen
微電子工程研究所
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「New functional AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure-emitter and heterostructure-base transistor (HEHBT)」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
AlGaAs
50%
AlGaAs-InGaAs
100%
Avalanche multiplication
50%
Barrier Lowering
50%
Electron Accumulation
50%
GaAs Heterostructures
100%
Gallium Arsenide
50%
Heterointerface
50%
Heterostructure
100%
High Emitter
50%
InGaAs Quantum Dots
100%
Injection Efficiency
50%
Negative Differential Resistance
50%
Operation Mode
50%
Pseudomorphic
50%
Resistance Trends
50%
S-shape
50%
Transistor
100%
Valence Band Discontinuity
50%
Engineering
Aluminium Gallium Arsenide
100%
Avalanche Multiplication
25%
Base Structure
25%
Gaas Heterostructures
100%
Gallium Arsenide
25%
Heterojunctions
100%
Indium Gallium Arsenide
100%
Injection Efficiency
25%
Negative Differential Resistance
25%
Operation Mode
25%
Quantum Well
50%
Valence Band
25%
Earth and Planetary Sciences
Aluminum Gallium Arsenide
100%
Emitter
100%
Heterojunctions
100%