Roughening method and method for manufacturing light emitting diode having roughened surface

貢獻的翻譯標題: 粗化方法及具粗化表面之發光二極體製備方法

Shui-Jinn Wang (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

本發明係有關於一種磊晶結構層之新穎粗化方法,其包括:提供一磊晶結構層;以及使用能量密度為1000 mJ/cm2以下之準分子雷射,蝕刻該磊晶結構層之表面,以形成一粗化表面。此外,本發明更提供一種具粗化表面之發光二極體製備方法。據此,本發明可解決習知粗化方法複雜、費時且成本高昂之問題。
貢獻的翻譯標題粗化方法及具粗化表面之發光二極體製備方法
原文English
專利號I422068
出版狀態Published - 1800

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