Semicondutor diode capable of detecting hydrogen at high temperatures

貢獻的翻譯標題: 適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法

研究成果: Patent

一種適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法，此氫氣感測器結構成長在半絕緣型半導體基板上，其磊晶結構包含未摻雜之砷化鎵半導體緩衝層，以及n型磷化銦鎵半導體薄膜。.

引用此

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title = "Semicondutor diode capable of detecting hydrogen at high temperatures",

abstract = "一種適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法，此氫氣感測器結構成長在半絕緣型半導體基板上，其磊晶結構包含未摻雜之砷化鎵半導體緩衝層，以及n型磷化銦鎵半導體薄膜。.",

author = "Wen-Chau Liu",

year = "1800",

language = "English",

type = "Patent",

note = "195317",

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TY - PAT

T1 - Semicondutor diode capable of detecting hydrogen at high temperatures

AU - Liu, Wen-Chau

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法，此氫氣感測器結構成長在半絕緣型半導體基板上，其磊晶結構包含未摻雜之砷化鎵半導體緩衝層，以及n型磷化銦鎵半導體薄膜。.

AB - 一種適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法，此氫氣感測器結構成長在半絕緣型半導體基板上，其磊晶結構包含未摻雜之砷化鎵半導體緩衝層，以及n型磷化銦鎵半導體薄膜。.

M3 - Patent

M1 - 195317

ER -