摘要
一種適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法,此氫氣感測器結構成長在半絕緣型半導體基板上,其磊晶結構包含未摻雜之砷化鎵半導體緩衝層,以及n型磷化銦鎵半導體薄膜。.
貢獻的翻譯標題 | 適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法 |
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原文 | English |
專利號 | 195317 |
出版狀態 | Published - 1800 |
Wen-Chau Liu (Inventor)
研究成果: Patent
貢獻的翻譯標題 | 適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法 |
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原文 | English |
專利號 | 195317 |
出版狀態 | Published - 1800 |