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國立成功大學 首頁
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概要
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活動
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SiH
4
-doped AlGaAs epilayers formed by MOCVD
H. M. Shieh, T. S. Wu,
W. C. Hsu
微電子工程研究所
奈米積體電路工程碩士學位學程
研究成果
:
Article
›
同行評審
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「SiH
4
-doped AlGaAs epilayers formed by MOCVD」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Epilayers
100%
Metallorganic chemical vapor deposition
92%
Carrier concentration
83%
Doping (additives)
65%
Electrons
59%
Growth temperature
47%
Silanes
37%
Physics & Astronomy
metalorganic chemical vapor deposition
55%
aluminum gallium arsenides
55%
silanes
31%
electrons
24%
temperature
8%
Chemical Compounds
Chemical Vapour Deposition
52%
Electron Particle
31%
Time
10%