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概要
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活動
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Silicon light emissions from boron implant-induced extended defects
G. Z. Pan, R. P. Ostroumov, L. P. Ren, Y. G. Lian,
K. L. Wang
電機資訊學院
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Silicon light emissions from boron implant-induced extended defects」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Light emission
100%
Boron
73%
Electroluminescence
50%
Silicon
50%
Defects
44%
Light emitting diodes
42%
Transmission electron microscopy
11%
Annealing
10%
Temperature
8%
Physics & Astronomy
light emission
59%
boron
55%
defects
35%
silicon
34%
light emitting diodes
34%
electroluminescence
32%
p-n junctions
22%
radiative recombination
11%
transmission electron microscopy
7%
annealing
6%
room temperature
5%
temperature
3%
Chemical Compounds
Electroluminescence
66%
Boron Atom
55%
Dislocation Loop
39%
Radiative Recombination
32%
Implant
21%
Annealing
16%
Transmission Electron Microscopy
14%
Ambient Reaction Temperature
11%
Time
7%