SINTERING ADDITIVE AND MICROWAVE DIELECTRIC CERAMIC USING THE SAME

貢獻的翻譯標題: 低溫燒結助劑與使用此燒結助劑之微波介電陶瓷

研究成果: Patent

一種低溫燒結助劑，將其添加於介電陶瓷粉末中，可於900℃的低溫燒結條件下，燒結出相對密度達90％以上以且相對介電常數εr(5GHz)為70至80，品質因子Qxf為2000至3000GHz以及溫度係數TCF約在20至60ppm/K左右之微波介電陶瓷。

引用此

@misc{58dc23912b4845cdbe1508d96cb7c704,

title = "SINTERING ADDITIVE AND MICROWAVE DIELECTRIC CERAMIC USING THE SAME",

abstract = "一種低溫燒結助劑，將其添加於介電陶瓷粉末中，可於900℃的低溫燒結條件下，燒結出相對密度達90％以上以且相對介電常數εr(5GHz)為70至80，品質因子Qxf為2000至3000GHz以及溫度係數TCF約在20至60ppm/K左右之微波介電陶瓷。",

author = "Hsing-I Hsiang",

year = "1800",

language = "English",

type = "Patent",

note = "I377187",

}

TY - PAT

T1 - SINTERING ADDITIVE AND MICROWAVE DIELECTRIC CERAMIC USING THE SAME

AU - Hsiang, Hsing-I

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種低溫燒結助劑，將其添加於介電陶瓷粉末中，可於900℃的低溫燒結條件下，燒結出相對密度達90％以上以且相對介電常數εr(5GHz)為70至80，品質因子Qxf為2000至3000GHz以及溫度係數TCF約在20至60ppm/K左右之微波介電陶瓷。

AB - 一種低溫燒結助劑，將其添加於介電陶瓷粉末中，可於900℃的低溫燒結條件下，燒結出相對密度達90％以上以且相對介電常數εr(5GHz)為70至80，品質因子Qxf為2000至3000GHz以及溫度係數TCF約在20至60ppm/K左右之微波介電陶瓷。

M3 - Patent

M1 - I377187

ER -