Target precursor structure

本發明係為一種靶材先驅層結構包含：一Se壓餅、一導電薄膜層附著該Se壓餅、一第一材料層附著該導電薄膜層、一第二材料層附著該第一材料層，以形成該靶材先驅層結構，其中該導電薄膜層、該第一材料層和該第二材料層之任一的材料是Cu或In，該導電薄膜層和該第一材料層的材料可為相同或不相同，而該第一材料層和該第二材料層的材料則不相同。此外，該導電薄膜層的厚度係在50nm~100nm之間。