VIB-6 Study of Hole Miniband Transport in GexSi1−x/Si Superlattice

R. P.G. Karunasiri, J. S. Park, K. L. Wang, F. P. Yuh

研究成果: Article同行評審

原文English
頁(從 - 到)2630
頁數1
期刊IEEE Transactions on Electron Devices
36
發行號11
DOIs
出版狀態Published - 1989 十一月

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子、光磁材料
  • 電氣與電子工程

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