Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same

In-Gann Chen

Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same

貢獻的翻譯標題: 釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置

In-Gann Chen (Inventor)

尖端材料國際碩士學位學程

研究成果: Patent

摘要

本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置，其中釔鋁石榴石螢光材料，係如下式(I)所示： (Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I) 其中，0.01  a  0.2，0 <b  1.2，且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。

貢獻的翻譯標題	釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置
原文	English
專利號	I437077
出版狀態	Published - 1800

引用此

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TY - PAT

T1 - Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same

AU - Chen, In-Gann

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置，其中釔鋁石榴石螢光材料，係如下式(I)所示： (Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I) 其中，0.01  a  0.2，0 <b  1.2，且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。

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M3 - Patent

M1 - I437077

ER -