以乳化超臨界二氧化碳流體進行高深寬比奈米孔洞填充之研究

摘要

本研究以乳化超臨界二氧化碳電鍍法，於高深寬比之陽極氧化鋁奈米孔洞中沉積銅金屬，在不添加促進劑及抑制劑的鍍液中，進行超填充的可行性。研究中所使用的奈米孔洞為陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide；AAO)模板，利用純鋁在特定電解液下，進行定電位的氧化，可生成高規則孔洞陣列結構，孔道筆直均勻，且依據施予的電壓不同、時間不同，可生成不同孔徑、不同深度之高深寬比孔洞，之後再移除純鋁基材和阻礙層，使其形成穿孔。並藉由C14H19F13O3Si來改變試片之表面能，使其形成疏水性的表面。本研究分別就AAO模板與表面改質(利用C14H19F13O3Si進行表面改質)之AAO模板進行填充，其結果顯示，在填充AAO模板時，傳統常壓與乳化超臨界二氧化碳製程皆可使電解液進入奈米孔洞，且當孔徑大小僅38 nm時，電解液仍可進入奈米孔道當中，但當孔洞深度增長時，乳化超臨界二氧化碳製程填滿速率則比較快速：而在表面改質之AAO模板，傳統常壓製程則無法使電解液進入奈米孔洞當中，若將傳統鍍浴與超臨界二氧化碳乳化後，降低鍍浴之表面張力，則可使液體進去孔洞當中並完全填滿，進而利用電鍍法使銅金屬能完整的由下向上沉積。

獎項日期	2015 8月 10
原文	???core.languages.zh_ZH???
監督員	Wen-Ta Tsai (Supervisor)