光響應電容電壓量測方法對薄膜電晶體型電荷擷取式記憶體能隙內能態密度研究

  • 江 彥樟

學生論文: Master's Thesis

摘要

獎項日期2017 八月 18
原文Chinese
監督員Jen-Sue Chen (Supervisor)

引用此文

光響應電容電壓量測方法對薄膜電晶體型電荷擷取式記憶體能隙內能態密度研究
彥樟, 江. (Author). 2017 八月 18

學生論文: Master's Thesis