多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體之研究

  • 曾 學智

學生論文: Master's Thesis

摘要

  本實驗使用濺鍍機製程,透過不同的氧氣流量作為參數,交互鍍製多層富矽氧化物/二氧化矽薄膜,進行三道黃光微影之後,即可完成多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體。   在多層富矽氧化物/二氧化矽薄膜當中進行光致發光的量測,可以發現光譜隨著氧氣流量的變化呈現奈米矽晶尺寸效應,在較高的激發能量下,更可以發現薄膜主要的發光來源為奈米矽晶或是輻射復合缺陷,包括E’δ center和NOV。另外,在不同的激發能量下,更是發現光譜的發光強度隨激發能量增加而下降的趨勢,以及奈米矽晶尺寸選擇效應。最後,經過鈍化的薄膜在發光強度上有大幅度的增加。   在多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體當中進行電致發光的量測,可以發現光譜隨著氧氣流量的變化而異,元件的發光來源非常多,包括奈米矽晶、NBOHC、E’δ center和NOV。在較強的電場激發下,甚至出現能帶填充效應,也可以發現奈米矽晶的第一激發態發光。另外,隨著氧氣流量的變化,可以發現奈米矽晶和輻射復合缺陷的貢獻發光有消長的趨勢。最後,隨著氧氣流量的不同,光致發光與電致發光的結果不一定一致。
獎項日期2016 一月 28
原文Chinese
監督員Chuan-Feng Shih (Supervisor)

引用此

多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體之研究
學智, 曾. (Author). 2016 一月 28

學生論文: Master's Thesis