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寫入方向對氧化鉭雙層電阻式記憶體自我整流現象之影響
陳 奕儒
學生論文
:
Master's Thesis
獎項日期
2018 8月 22
原文
???core.languages.zh_ZH???
監督員
Jen-Sue Chen
(Supervisor)
引用此
Standard
寫入方向對氧化鉭雙層電阻式記憶體自我整流現象之影響
奕儒, 陳. (Author).
2018 8月 22
學生論文
:
Master's Thesis