摘要
我們利用相間排列的金屬-介電質介面(MI)以及金屬-介電質-介電質介面(MII)設計了平面超解析元件,並且使其在可見光的操作頻率下達到超解析的效果,此外我們證明了利用改變元件所使用的材料以及對元件結構細部的微調,來達到全可見光頻段超解析的目的。 接者我們提出了利用單層的石墨稀以及給予石墨稀相間排列之外加電壓改變其材料參數,使得石墨稀如一個多層膜系統一般並且證明了此元件可以在THz的頻段下打破繞射極限。我們證明了我們所設計的結構,除了可以使石墨稀成為一個超穎材料之外,也能做為一個超解析材料,此外我們也證明了利用外加偏壓的調控,我們可以在不同的THz頻率下打破繞射極限。這些由我們所提出來的結構,皆為多層膜結構且具有次波長解析的效果,並且期盼能夠應用在高密度的電子電路中。獎項日期 | 2014 7月 21 |
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原文 | ???core.languages.zh_ZH??? |
監督員 | Yung-Chiang Lan (Supervisor) |