探討蒙地卡羅法模擬背向式與穿透式背向散射電子繞射顯微鏡的空間解析度

摘要

鑒於奈米尺度的材料觀測以及織構研究需求，2012年Keller以薄膜試片搭配上傳統EBSD設備，得到穿透式背向散射電子繞射圖譜，2013年Suzuki使用鋁及鉻薄膜試片，提出試片傾斜角度、加速電壓及試片厚度對空間解析度關係的研究。然而，對於不同的材料，最適當的試片厚度及SEM的分析條件，則沒有具體的說法。 本論文利用蒙地卡羅模擬法，來比較傳統EBSD與穿透式EBSD的空間解析度差異，藉由模擬穿透式EBSD空間解析度的影響因子，如材料原子量、試片厚度、加速電壓、試片傾斜角度等參數，探討對穿透式EBSD空間解析度的影響。論文主要分為兩個部分，第一部分為模擬傳統EBSD的空間解析度，以作為參考；第二部分為穿透式EBSD的空間解析度模擬，依次探討不同參數；原子量差異，選用銅、銀及金三種不同原子量的材料；試片厚度選擇100 nm、200 nm及300 nm；試片傾斜角度為20度及30度；加速電壓選用15kV、25kV及30kV。 最後，本論文得出穿透式EBSD在試片厚度100 nm，可得到最好的解析度；其中，銅在加速電壓25kV時，縱向解析度為25 nm，橫向解析度為15 nm，為所有參數中最佳的空間解析度。另外，隨著材料原子量的改變，加速電壓需要做些微調整。原子量越大，加速電壓要略微加大，反之；試片傾斜角度，也必須要隨著加速電壓增加，傾斜角度略為增加。

獎項日期	2015 8月 17
原文	???core.languages.zh_ZH???
監督員	Jui-Chao Kuo (Supervisor)