根據基因演算法之金屬氧化物半導體電容陣列產生器

摘要

大部分類比電路的佈局仍透過人工進行置及繞線，工作相當繁瑣且耗費時間，因此電路實體自動化一直是大家希望解決的問題，希望藉由程式的協助快速考慮電路連線關係完成?置及繞線並整合於晶片，可減少工程師重新規劃電路?置及繞線的時間。電容是類比電路中常用的原件且廣泛的應用在電路上。IC中常用到的電容架構為MIM、MOS…等，MIM電容單位面積容值小精確度高，花費面積較大，可應用於類比轉數位或數位轉類比電路上；MOS電容單位面積容值大精確度與MIM架構相比較低，花費面積較小，可應用於震盪器及穩壓電路上。大部分的自動化方法著重在MIM電容陣列，較少的文獻是討論MOS電容陣列，在震盪器電路中，藉由使用MOS電容陣列調整容值並減少面積的消耗。我們採用基因演算法實作MOS電容陣列四個方向都有電容的對外接點，考慮繞線線長及是否有線段互相重疊而需轉換金屬層，進行內部單位電容的?置，並使用歷歷史基底迷宮繞線完成後續的繞線，因較少文獻探討此問題，我們使用貪婪演算法來進行?置，從實驗結果中顯示我們的演算法在有效的執行時間內，線長及金屬層的使用都比貪婪?置方法更加有效。

獎項日期	2014 8月 21
原文	???core.languages.zh_ZH???
監督員	Jai-Ming Lin (Supervisor)