氧空缺儲存槽對氧化物電阻式記憶體電阻轉換特性之影響

  • 黃 久倖

學生論文: Master's Thesis

摘要

獎項日期2016 八月 30
原文Chinese
監督員Jen-Sue Chen (Supervisor)

引用此

氧空缺儲存槽對氧化物電阻式記憶體電阻轉換特性之影響
久倖, 黃. (Author). 2016 八月 30

學生論文: Master's Thesis