氮化銦鎵奈米柱之光壓電特性

  • 劉 官儒

學生論文: Master's Thesis

摘要

利用分子束磊晶系統(MBE)於Si(111)基板上成長氮化銦鎵/氮化鎵奈米柱,並且在成長過程中,固定銦、鎵以及氮電漿流量,因為我們MBE加熱器的熱輻射會造成樣品加熱不均勻現象,透過溫差定義三個不一樣溫度的區域,且成長溫度不一樣,氮化銦鎵的合金比例也會跟著改變,並分別去量測其電子顯微鏡、光致發光光譜以及光壓電效應。並且從電子顯微鏡影像得到較高溫度的奈米柱成長品質較佳,且經過光致發光光譜的計算得知,成長溫度越低,銦原子比例含量越多,然後將氮化銦鎵奈米柱製作成奈米發電機去量測壓電效應,結果隨著銦含量的增加,壓電效應也隨之增加。並且比較氮化銦鎵奈米發電機在照光下與暗室的壓電效應差別,結果為照光下壓電電壓也會因為照光後而增大電壓。
獎項日期2016 八月 31
原文Chinese
監督員Chung-Lin Wu (Supervisor)

引用此

氮化銦鎵奈米柱之光壓電特性
官儒, 劉. (Author). 2016 八月 31

學生論文: Master's Thesis