絕緣高分子對聚(3-己基?吩)薄膜電晶體之電穩定性影響研究

  • 蔡 旻辰

學生論文: Master's Thesis

摘要

本論文主要研究Regioregular Poly(3-hexylthiophene)(RR-P3HT)於氮氣環境與一般大氣下的電晶體穩定性。由於以聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate ,PMMA)為修飾層之有機高分子RR-P3HT薄膜電晶體,其電流-時間關係圖中之電流隨著時間增加而上升,其原因為PMMA與RR-P3HT之介面處會產生偶極效應(dipole effect),偶極隨著閘極電壓增加而慢慢轉向,最後與電場平行,而扭轉過後的偶極可以強拉住載子使載子不被通道上的缺陷所影響,因此造成電流上升,本論文將探討元件之電流-時間關係圖與元件電特性之間的關係。 本實驗以重摻雜矽基板作為元件基板,並利用絕緣高分子PMMA做兩部分探討,首先,將PMMA作為有機薄膜體之修飾層,由於分子量越大的PMMA有可能影響原本載子的路徑,分子量越小也可能使元件有較差的特性,本部分將探討不同分子量之PMMA對於元件電特性的影響,第二部分,將主動層RR-P3HT混摻絕緣高分子PMMA,研究不同比例之PMMA對於RR-P3HT是否能發揮抵擋大氣中水氧之作用,或者是會形成障礙影響載子傳輸,本部分研究不同比例之RR-P3HT/PMMA摻合物對於元件穩定性的影響。在元件的應用部分,本文將RR-P3HT之表面孔洞結構蒸鍍上N型半導體PTCDI-C13,在元件輸出特性曲線上,可得到操作在雙極性範圍之二次電流曲線圖,在元件轉換曲線中,得到由雙載子進行累積與空乏動作的V型曲線,證明此元件具有雙載子傳輸的能力。
獎項日期2015 八月 31
原文???core.languages.zh_ZH???
監督員Horng-Long Cheng (Supervisor)

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