開發膠體顯影技術以製作可調間距陣列圖案

摘要

本研究結合膠體顯影與金屬輔助化學蝕刻技術製作可調間距陣列圖案，目的是要開發一具次微米/奈米級且寬間距(>1μm)的陣列圖案。利用自組裝的原理，將PMSQ(polymethylsilsesquioxane)微米球分散在空氣-水介面，接著讓這些微米球排列在已塗佈高分子的矽基板上，加熱至高分子熔點(Tm)，目的是讓PMSQ沉入高分子中； 移除掉PMSQ球後，便以乾蝕刻小心地去除原先球底部殘留的高分子層，在適當的乾蝕刻參數下，可得到各種不同大小所暴露出矽基板的圓形陣列圖案，然後再用金屬輔助化學蝕刻法進行非等向性蝕刻所暴露出的矽基板。另外，以電子束蒸鍍法沉積金屬於基板上後，再以丙酮洗去高分子，留在洞內的金屬便可成為乾蝕刻的光罩，在適當的乾蝕刻參數下，可調間距陣列圖案便可得到。目前已成?開發大面積(>10cm)和可調間距(非緊密排列)陣列圖案，此技術有很大的應用潛力於光電元件、顯示器、發光二極體與太陽能電池等。

獎項日期	2014 1月 28
原文	???core.languages.zh_ZH???
監督員	Franklin Chau-Nan Hong (Supervisor)