點膠機轉移奈米銀漿料暨電遷移研究

  • 蘇 柏丞

學生論文: Master's Thesis

摘要

本研究使用精微式探針點膠機直接轉移奈米銀漿料PM03於矽基板上,於矽基板上物理氣相沉積鈦導線進行表面改質並改善奈米銀漿料PM03及矽基板之附著度。 本論文探討點膠機之參數對不同奈米銀漿料PM03固含量(70wt%、65wt%)尺寸影響。奈米銀漿料PM03附著度改善製程,並使用蒸鍍鈦之方式進行表面改質,並且,輔助熱壓之鐵氟龍板無實驗室過去研究使用鐵氟龍膠帶於表面產生非預期之矽進而影響電遷移結果。 本研究使用之奈米銀漿料PM03於熱壓後內部會有孔洞產生(孔隙率約7%),並配合高荷電之中斷實驗,探討多孔結構於通電實驗前後之表面形貌、孔隙率及3D影像結構之變化。 奈米銀漿料PM03於熱壓參數(250 oC、5 MPa)、通電參數(250 oC、5x105 A/cm2)通電48hr導線表面無明顯的微結構變化。 奈米銀漿料PM03於熱壓參數(250 oC、5 MPa)、通電參數(250 oC、5x105 A/cm2) 通電140hr 導線各處均產生孔洞、且於0 75 cm處(即靠近陰極/中間) 產生凸塊;通電後,奈米銀漿料PM03整條導線均發生電遷移變化。 奈米銀漿料PM03於熱壓參數(250 oC、5 MPa)、通電參數(250 oC、5x105 A/cm2)之0hr、48hr、96hr、216hr之中斷實驗搭配共軛焦顯微鏡之3D結果發現,於216hr導線各處均有孔洞產生;於96hr及216hr均有凸塊產生,符合奈米銀漿料140hr之中斷實驗結果,位置具有再現性。 奈米銀漿料PM03於熱壓參數(250 oC、5 MPa)、通電參數(250 oC、5x105 A/cm2)之通電48hr中斷實驗中,導線各處之孔隙率相近,且由陰極往陽極遞減,符合電子流方向,孔隙率數據具有再現性。
獎項日期2018 八月 25
原文Chinese
監督員In-Gann Chen (Supervisor)

引用此

點膠機轉移奈米銀漿料暨電遷移研究
柏丞, 蘇. (Author). 2018 八月 25

學生論文: Master's Thesis