ALD Temperature Modulation and Extra Post Metal Anneal to Fabricate High Performance P-type MOSFET Device

論文翻譯標題: 金屬原子層沉積溫度調變與後退火熱處理用於製作高效能P型金屬氧化物半導體元件
  • 劉 鴻輝

學生論文: Master's Thesis

摘要

獎項日期2017 八月 11
原文English
監督員Cheng-Chi Tai (Supervisor)

引用此

ALD Temperature Modulation and Extra Post Metal Anneal to Fabricate High Performance P-type MOSFET Device
鴻輝, 劉. (Author). 2017 八月 11

學生論文: Master's Thesis