Analysis of Different Nano Fin Width in AlGaN/GaN heterostructure FinFET

論文翻譯標題: 不同奈米魚鰭寬度之氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面鰭式電晶體之特性分析
  • 蔡 孟杰

學生論文: Doctoral Thesis

摘要

此研究製作出魚鰭寬度(Fin width)分別為50nm、80nm、110nm 在藍寶石(Sapphire)基板上之氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)鰭式場效電晶體(FinFET)。透過直流電特性、脈衝電壓、高頻S參數分析比較元件參數。 當魚鰭寬度越小時,臨界電壓(Vth) 向正值靠近,符合理論值。同時此研究在魚鰭寬度越小時,輸出電流變小,連帶使得轉導值(gm)變小、次臨界值?幅(S S )增大、電流截止頻率(fT)降低、最大增益頻率(fmax)降低,原因可能來自於過長的魚鰭長度,使源極電阻增加所致。 而魚鰭寬度減小時,單位表面積增加,連帶使得表面缺陷增加,可能因此形成漏電路徑,造成元件特性變差。 本實驗透過蒸鍍導電層,使電子束微影可以用在不導電基板材料,並透過光罩設計減少電子束微影的曝光時間及微影成本,使得不導電基板之奈米級研究變得更加可行。
獎項日期2020
原文English
監督員Wei-Chi Lai (Supervisor)

引用此

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