Investigation of the ITO/CuInSe2 Nanorod Solar Cells

摘要

本論文主要利用三極電鍍法製備二硒化銅銦奈米柱，是藉由薄膜式陽極氧化鋁(Anodic aluminum oxide AAO)模板來輔助製備。將模板完全移除後得到CuInSe2(CISe)奈米柱，將其當作光電元件的吸收層，並在奈米柱上方使用直流濺鍍一層高穿透率及高導電性質的氧化銦錫(Indium Tin Oxide ITO)薄膜，可以用來當作光電元件的窗口層。應用於光電元件，利用奈米柱結構與平面結構相比較，奈米柱結構具有高抗反射能力以及較多的吸光面積，期望透過此種一維奈米結構，能進一步提升光電轉換能力。 利用以上結構形成具整流特性之P-N接面二極體。利用各層材料的最佳參數製備奈米柱光電元件，並量測其二極體整流電性，其順向電流密度為5 67 mA/cm2、逆向電流密度為-0 26 mA/cm2以及順逆向電流密度比值為21 8倍。應用於太陽能電池，得到短路電流密度為0 082mA/cm2、開路電壓為0 75 volt、填充因子為0 519以及光電轉換效率為0 0319 %。

獎項日期	2020
原文	English
監督員	Mau-phon Houng (Supervisor)