摘要
本實驗所使用到的半導體材料為n型氮化鎵，在運用到光電化學電解水的系統當中，具有適當的能帶位置與良好的抗酸鹼能力，且能夠在照光下順利地形成光電流並產生氫氣。但因氮化鎵存在著?多晶格缺陷在表面，使得光生載子形成後容易累積在半導體的表面缺陷處，造成光腐蝕現象並降低元件的穩定性。 因此本篇論文的研究方向是選用奈米氧化鎳或是奈米氧化鈷粒子，將其附著在n型氮化鎵上，並運用在電解液為1M NaCl的光電化學系統當中。從實驗結果印證出這兩種催化劑確實能夠修飾半導體表面、增加內建電場、提升反應的動力，並從SEM觀察到元件蝕刻的情況確實有所改善。特別的是氧化鎳能夠在減緩光腐蝕現象的情況下，還能有顯著的光電流增益，進而提升氫氣的產率。| 獎項日期 | 2019 |
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| 原文 | English |
| 監督員 | Jinn-Kong Sheu (Supervisor) |