Thermal Chemistry of Thiazole on Cu(100) and O/Cu(100) Surfaces

摘要

本篇論文利用程序控溫反應(TPD)、反射式紅外光吸收光譜(RAIRS)和X光光電子能譜(XPS) 再借助密度泛函數理論去分析?唑(thiazole)在Cu(100)以及O/Cu(100)上的熱反應。 在120K時，?唑主要通過N-Cu相互作用吸附在Cu(100)上，並且芳香環垂直吸附於表面。 到達200 K時環開始破裂，在表面上形成少量的S(ad)，隨著溫度升高生成產物C2H2(~290 K)、H2(~597 737 K)、HCN(~525 610 737 K)。 在反應過程中有出現-SCHNCHCH-、-SCHCHNCH-或-CHNCHCH-的表面中間物。 120 K時thiaozle在O/Cu(100)上的吸附方式與Cu(100)相似；在有氧原子的Cu(100)上，thiazole也會反應並最終產生S(ad)。 但產物與Cu(100)不同，生成H2 (~388 K、~604 K)、H2O (~438 K)、C2H2 (279 K)、CO (~373 K、604 K）、CO2 (~373 K、~640 K)和N2 (~834K)。除了在Cu(100)的情況下的三種反應中間物，在O/Cu(100)上的?唑反應中可能形成>C=C=O、-NCO和另一種具有C-O基團的表面中間物。

獎項日期	2019
原文	English
監督員	Jong-Liang Lin (Supervisor)